商品名称:MGD3160AM515EKR2
データマニュアル:MGD3160AM515EKR2.pdf
ブランド:NXP
年:23+
パッヶージ:32-SOIC
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
MGD3160AM515EKR2は、xEVトラクション・インバータ、OBC、DC-DCコンバータ用の最新のSiCおよびIGBTモジュールを駆動するために設計された先進的なシングルチャンネル・ゲート・ドライバです。 ガルバニック絶縁、SPI経由のプログラマブル・インターフェース、過熱保護、脱飽和保護、電流センス保護などの高度なプログラマブル保護を内蔵しています。 SiC MOSFETおよびIGBTゲートの直接駆動が可能で、高ゲート電流とプログラマブル・ゲート駆動電圧機能により、高性能スイッチング、低ダイナミック・オン抵抗、およびレール・ツー・レールのゲート電圧制御を実現します。
主な特長
● ガルバニック絶縁信号内蔵(最大8kV)
● 統合された高ゲート電流:15Aのソース/シンク能力
● 安全監視、設定、診断レポート用SPIインターフェース
● 高スイッチング周波数をサポート:PWM周波数は最大100 kHz
● LVおよびHVドメインからのフェイルセーフ状態管理。
● 拡張プログラマブルゲート電圧レギュレータ
● NTCおよびPTCサーミスタと互換性のある温度検知
● SiCおよびIGBT保護に最適化された構成可能な脱飽和および電流センス機能
● SiC特有のゲート駆動要件に最適化されたソフトシャットダウン、2段階シャットダウンを内蔵
● 高電圧領域パラメータ監視用統合ADC
● CMTI > 100 V/ns
● 125 kWを超える出力範囲の200 V~1700 V IGBT/SiCに対応
● 動作温度範囲 -40 °C ~ 125 °C
● 外部沿面距離(CPG):> 7.8 mm
● 3.3Vまたは5.0VのI/Oロジック・インターフェース・バージョンで使用可能
● 小型パッケージ(8 mm x 13 mm)32 ピン SOIC
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