商品名称:HMC637ALP5ETR
データマニュアル:HMC637ALP5ETR.pdf
ブランド:ADI
年:23+
パッヶージ:QFN-32
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
HMC637ALP5ETRは、ガリウムヒ素(GaAs)、シングルチップ・マイクロ波集積回路(MMIC)、擬似結晶高電子移動度トランジスタ(pHEMT)分布電力アンプで、0.1 GHz~6 GHzの周波数範囲で動作します。このアンプは、13 dBの利得、44 dBmの出力3次相互変調インターセプト(IP3)、29 dBmの出力電力を実現します(図1)。 HMC637ALP5Eは、100 MHz~6 GHzの範囲で±0.75 dBの利得平坦度を持ち、電子戦(EW)、電子対策(ECM)、レーダー、テスト機器のアプリケーションに最適です。 HMC637ALP5EアンプのRF I/Oは内部で50Ωに整合されており、5 mm×5 mmのリードフレームチップスケールパッケージ(LFCSP)は、大規模な表面実装技術(SMT)アセンブリ装置と互換性があります。
特性
P1dB出力:29 dBm
利得: 13 dB
出力IP3:44 dBm
50Ω整合入出力
32ピン、5 mm × 5 mm LFCSPパッケージ:25 mm2
拡張産業用温度範囲: -55°C~+105°C
用途
通信インフラ
マイクロ波無線
超小型開口ターミナル(VSAT)
軍事・宇宙
テスト機器
光ファイバー製品
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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