商品名称:M3032316045NX0IBCY
データマニュアル:M3032316045NX0IBCY.pdf
ブランド:Renesas
年:23+
パッヶージ:48-LFBGA
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
M3032316045NX0IBCYは磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)です。 MRAM技術は、SRAM互換の35ns/35nsおよび45ns/45nsの読み出し/書き込みタイミング(パーシステントSRAM、P-SRAM)を持つフラッシュ・メモリ技術と類似しています。 データは常に不揮発性である。 したがって、MRAMは非常に信頼性が高く、高速な不揮発性メモリ・ソリューションです。
製品の特徴
メモリタイプ:不揮発性
メモリー形式: RAM
テクノロジー: MRAM (磁気抵抗RAM)
メモリー容量:32 MB
メモリー構成: 2M x 16
メモリー・インターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 45 ns
アクセス時間 45 ns
電圧-電源:2.7V~3.6V
動作温度: -40°C ~ 85°C
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/ケース: 48-LFBGA
同梱物:48ピンLFBGA(10x10)
アプリケーション
● ファクトリーオートメーション
● 多機能プリンター
● 産業用制御およびモニタリング
● 医療診断
● データ・スイッチおよびルーター
● スマートメーター
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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