商品名称:M3032316045NX0IBCY
データマニュアル:M3032316045NX0IBCY.pdf
ブランド:Renesas
年:23+
パッヶージ:48-LFBGA
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
M3032316045NX0IBCYは磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)です。 MRAM技術は、SRAM互換の35ns/35nsおよび45ns/45nsの読み出し/書き込みタイミング(パーシステントSRAM、P-SRAM)を持つフラッシュ・メモリ技術と類似しています。 データは常に不揮発性である。 したがって、MRAMは非常に信頼性が高く、高速な不揮発性メモリ・ソリューションです。
製品の特徴
メモリタイプ:不揮発性
メモリー形式: RAM
テクノロジー: MRAM (磁気抵抗RAM)
メモリー容量:32 MB
メモリー構成: 2M x 16
メモリー・インターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 45 ns
アクセス時間 45 ns
電圧-電源:2.7V~3.6V
動作温度: -40°C ~ 85°C
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/ケース: 48-LFBGA
同梱物:48ピンLFBGA(10x10)
アプリケーション
● ファクトリーオートメーション
● 多機能プリンター
● 産業用制御およびモニタリング
● 医療診断
● データ・スイッチおよびルーター
● スマートメーター
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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