商品名称:FF33MR12W1M1HP
データマニュアル:FF33MR12W1M1HP.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:Module
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
FF33MR12W1M1HP IGBTモジュール(CoolSiC™ MOSFET搭載)は、非常に低い浮遊インダクタンスと優れた効率性により、高周波数、高電力密度、低冷却要件を実現します。1200V、8mΩハーフブリッジモジュールは、内蔵NTC温度センサーとPressFITコンタクト技術を備えています。 . このデバイス・ファミリーは、0~5Vおよび+15V~+18Vの推奨ゲート駆動電圧範囲、+23Vまたは-10Vの最大ゲート・ソース電圧、17mΩまたは33mΩのドレイン・ソース抵抗オプションを特長としています。 統合された取り付けクリップにより、確実な取り付けが可能です。
特長
● 寸法62.8mm×33.8mm×12mm(LxWxH)のクラス最高のパッケージ
● 高度なWBG材料とシンプルなモジュール・パッケージの組み合わせ
● 非常に低いモジュール浮遊インダクタンス
● 広いRBSOA
● 第一世代のトレンチ技術を強化した 1200V CoolSiC MOSFET
● 推奨ゲート駆動電圧範囲を拡大:0~5Vおよび+15V~+18V
● 最大ゲート・ソース間電圧の拡張:+23Vおよび-10V
● ドレイン・ソース間オン抵抗オプション:17mΩまたは33mΩ
アプリケーション
● 高周波スイッチング・アプリケーション
● DC/DCコンバータ
● UPSシステム
● モータドライブ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
Module
2000
IGBTモジュール トレンチフィールドカットオフシングルチョッパー 1200 V 900 A 5.1 kWシャーシマウントモジュール
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