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パワーMOSFET IQDH45N04LM6CG 40Vは、PQFN 5x6 mm2ドロップソース・パッケージで提供されます。 このデバイスの特長は、0.45mΩという超低RDS(ON)と、電力損失管理が容易な優れた熱性能です。 これにより、バッテリー駆動ツールの中間バス変換、SMPS、通信用電源、ハイパースケール・データセンターやAIサーバー・ファームなどの高性能コンピューティングなど、さまざまな最終用途アプリケーションのシステム効率と電力密度の向上が可能になります。

特長

- Nチャンネル、対数レベル

- 極めて低いオン抵抗RDS（オン）

- 優れた耐熱性

- 100%エージング試験に合格

- 鉛フリーめっき、RoHS対応

- ハロゲンフリー、IEC 61249-2-21準拠

IQDH45N04LM6CGの製品属性

製品カテゴリ: MOSFET

実装スタイル: SMD/SMT

パッケージ/ケース：TTFN-9

トランジスタ極性： Nチャンネル

Vds-ドレイン-ソース降伏電圧： 40 V

Id-連続ドレイン電流：637 A

Rdsオン-ドレイン-ソース間オン抵抗：450 uOhms

Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V

Vgs th - ゲート-ソース間スレッショルド電圧：2.3 V

Qg-ゲート電荷: 62 nC

最低動作温度： - 55

最大動作温度： + 175 C

パラジウム-電力損失：333 W

チャネル・モード： エンハンスメント

商標： OptiMOS

シリーズ: OptiMOS 6

構成: Dual

ダウンタイム: 14 ns

製品タイプ: MOSFET

立ち上がり時間: 6 ns

工場出荷パッケージ数量: 5000

サブカテゴリー: MOSFET

標準オフ遅延時間： 49 ns

標準ターンオン遅延時間： 9 ns

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

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  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

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  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

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  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。