VRオールインワンの徹底的な探求により、このほどVRオールインワン「Pico Neo3」が分解されました。
マザーボードの裏側にある主なIC(下)
1:Qualcomm-QCA6391-WiFi、Bluetoothチップ。
2:Qorvo-QM45391-RFフロントエンドチップ
3:Qorvo-QM42391-RFフロントエンドチップ
4:Qualcomm-PM8250-パワーマネージメントチップ
5:Qualcomm-PM8150B-パワーマネージメントチップ
6:Qualcomm-WCD9380-オーディオチップ
7:シーラス・ロジック社製CS35L41B-オーディオアンプチップ
8:Qualcomm- QPM6585- RFアンプチップ
9:Qualcomm- QPM5677- RFアンプチップ
10: Qualcomm- QPM5679- RFアンプチップ
11:Qualcomm- QDM2310- RFフロントエンドチップ
12: Qorvo- QM77040- RFフロントエンドチップ
13: Qorvo- QM77032-RF フロントエンドチップ
14: AKM-AK09918-Compass Chip
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
ノースカロライナ州に本社を置くQorvoは、30年以上の設計経験を結集し、世界中で8,000人近くの従業員を雇用しています。 カーボは中国に2つの生産拠点を持ち、山東省の北京と徳州にあります。 Qorvo(北京)は2001年6月28日に北京の亦荘経済技術開発区に設立され、2,400人…
UJ4C075060L8SSB
UJ4C075060L8SSBは750V、58mΩのG4 SiC FETです。独自のカスコード回路構成に基づいており、ノーマリーオンのSiC JFETをSi MOSFETとコ・パッケージすることで、ノーマリーオフのSiC FETデバイスを実現しています。特徴オン抵抗 RDS(on): 58 mΩ (typ)動作温度 175℃(最…UJ4C075060L8SSR
UJ4C075060L8SSRは750V、58mΩのG4 SiC FETです。独自のカスコード回路構成に基づいており、ノーマリーオンのSiC JFETをSi MOSFETとコ・パッケージすることで、ノーマリーオフのSiC FETデバイスを実現しています。特徴オン抵抗 RDS(on): 58 mΩ (typ)動作温度 175℃(最…UJ4C075044L8SSB
UJ4C075044L8SSBは750V、44mΩのG4 SiC FETです。独自のカスコード回路構成に基づいており、ノーマリーオンのSiC JFETをSi MOSFETとコ・パッケージすることで、ノーマリーオフのSiC FETデバイスを実現しています。特徴オン抵抗 RDS(on): 44 mΩ (typ)動作温度 175℃(最…UJ4C075044L8SSR
UJ4C075044L8SSRは750V、44mΩのG4 SiC FETです。独自のカスコード回路構成に基づいており、ノーマリーオンのSiC JFETをSi MOSFETとコ・パッケージすることで、ノーマリーオフのSiC FETデバイスを実現しています。特徴オン抵抗 RDS(on): 44 mΩ (typ)動作温度 175℃(最…UJ4C075033L8SSR
UJ4C075033L8SSRは750V、33mΩのG4 SiC FETです。独自のカスコード回路構成に基づいており、ノーマリーオンのSiC JFETをSi MOSFETとコ・パッケージすることで、ノーマリーオフのSiC FETデバイスを実現しています。特徴オン抵抗 RDS(on): 33 mΩ (typ)動作温度 175℃(最…UJ4C075033L8SSB
UJ4C075033L8SSBは750V、33mΩのG4 SiC FETです。独自のカスコード回路構成に基づいており、ノーマリーオンのSiC JFETをSi MOSFETとコ・パッケージすることで、ノーマリーオフのSiC FETデバイスを実現しています。特徴オン抵抗 RDS(on): 33 mΩ (typ)動作温度 175℃(最…連絡先電話:86-755-83294757
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