商品名称:MT41K512M16VRN-107 IT:P
データマニュアル:MT41K512M16VRN-107 IT P.pdf
ブランド:Micron
年:23+
パッヶージ:96-TFBGA
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:8000 件
933 MHz集積回路チップMT 41 K 512 M 16 VRN-107 IT:P 8 GbitメモリIC 96 FBGA
MT 41 K 512 M 16 VRN-107 IT:P TwinDie DDR 3 L SDRAMは高速CMOS動的ランダムアクセスメモリ装置であり、内部に2つの8組のDDR 3 L SDR AM装置として構成されている。
型番MT 41 K 512 M 16 VRN-107 IT:P
メモリフォーマットDRAM
技術SDRAM-DDR 3 L
メモリサイズ8 Gbit
メモリ組織512 Mx 16
メモリインタフェース並列接続
クロック周波数933 MHz
書き込みサイクル時間-Word、15 nsページ
アクセス時間20 ns
電圧-電源1.283 V ~ 1.45 V
動作温度-40°C ~ 95°C(TC)
取付タイプ表面貼付タイプ
パッケージ/ケース96-TFBGA
ベンダーデバイスパッケージ96-FBGA(8 x 14)
MT 41 K 512 M 16 VRN-107 IT:P DDR 3 L SDRAMはデュアルデータレートアーキテクチャを採用し、高速運行を実現する。デュアルデータレートアーキテクチャは、I/Oボールにおいてクロック周期ごとに2つのデータワードを転送するように設計された8 nプリフェッチアーキテクチャである。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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