商品名称:CY8C4246LTI-L445
データマニュアル:CY8C4246LTI-L445.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:68-QFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
CY8C4246LTI-L445は、Cortex®-M0 CPUを搭載したプログラマブル組み込みシステム コントローラ ファミリ向けのスケーラブルで再構成可能なプラットフォーム アーキテクチャであり、プログラマブルで再構成可能なアナログおよびデジタル モジュールと柔軟な自動配線が組み合わされています。PSoC 4200L製品ファミリは、デジタル プログラマブル ロジックとプログラマブル インターコネクトを備えたマイクロコントローラの理想的な組み合わせであるこのプラットフォームをベースにしています。 ロジック、プログラマブルアナログ、プログラマブルインターコネクト、オフチップメモリのセキュアな拡張、高性能アナログ/デジタル変換の組み合わせ、コンパレータモードを備えたオペアンプ、さらに標準的な通信およびタイミングペリフェラルを備えています。PSoC 4200L製品は、新しいアプリケーションや設計要件に対応するため、PSoC 4プラットフォームのメンバーと完全な互換性を持っています。
製品属性
コア プロセッサ: ARM® Cortex®-M0
コア仕様:32ビットシングルコア
速度: 48MHz
コネクティビティ: I²C、IrDA、LINbus、Microwire、スマートカード、SPI、SSP、UART/USART、USB
ペリフェラル: 低電圧検出/リセット、CapSense、DMA、LVD、POR、PWM、SmartSense、WDT
I/O数:57
プログラム・メモリ容量: 64KB(64K x 8)
プログラム・メモリ・タイプ:フラッシュ
RAMサイズ:8K x 8
電圧-電源(Vcc/Vdd):1.71V~5.5V
データ・コンバータ: A/D 16x12b; D/A 2x7b、2x8b
発振器タイプ:内蔵
動作温度: -40°C ~ 85°C (TA)
実装タイプ:表面実装
パッケージ/ケース:68ピンVFQFN露出ボトムパッド
サプライヤーデバイスパッケージ: 68-QFN (8x8)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
BGA
3000
TriCore™ TC17xx マイクロコントローラ IC 32 ビットシングルコア 240MHz 4MB (4M x 8) フラッシュメモリ PG-LFBGA-292-6
SILICON
QFN-32
3000
8ビットマイクロコントローラー - MCU 32kB/4kB RAM、10ビットADC、DC-DCコンバーター、0.9V、QFN32パッケージ
Cypress
QFN-40
2000
ARM® Cortex®-M0+ マイクロコントローラー IC 32ビット 24MHz 16KB(16K × 8) フラッシュメモリ 40ピンQFN(6×6)
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
インフィニオンテクノロジーズは1999年4月1日にドイツのミュンヘンに正式に設立され、世界をリードする半導体企業の1つです。その前身は、1999年に独立し、2000年に公開されたSiemensGroupの半導体部門でした。その中国名はYihengTechnologyで、2002年以降InfineonTechno…
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TC1791は,TriCore CPU,プログラムメモリとデータメモリ,バス,バスアービトレーション,割り込みコントローラ,周辺制御プロセッサとDMAコントローラ,複数のオンチップ周辺機器を備えた高性能マイクロコントローラです。TC1791は,価格/性能,リアルタイム応答性,計…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2Sは、(インフィニオン)が発表したStrongIRFET™2 30VパワーMOSFETで、72 Aの電流を持ち、低スイッチング周波数と高スイッチング周波数に最適化して設計の柔軟性を実現しました。ISZ056N03LF2Sはエネルギー効率が高く、システム全体の性能を向上させ、ロバスト…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2Sは、109 A、StrongIRFET™2 30VパワーMOSFETで、低スイッチング周波数と高スイッチング周波数に最適化し、設計の柔軟性を実現しました。キーパラメータは以下の通りです。FETタイプ:Nチャネルです技術:MOSFET(金属酸化物)ですドレインソース電圧(Vdss): 30 …IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2Sは、【Infineon】が発表した99 A、StrongIRFET™2 30VパワーMOSFETです。エネルギー効率が高く、システム全体のパフォーマンスを向上させ、ロバスト性にも優れています。IPD030N03LF2Sは低スイッチング周波数と高スイッチング周波数に最適化し,設計の柔軟性…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2Sは73 A、StrongIRFET™2 30VパワーMOSFETで、低スイッチング周波数と高スイッチング周波数に最適化し、設計の柔軟性を実現しました。高いエネルギー効率でシステム全体の性能を向上させ、ロバスト性も優れています。IPD040N03LF2Sの典型的なアプリケーション…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8はスーパーノット(SJ)原理に基づいて設計された101 A、CoolMOS™CM8 650VパワーMOSFETで、低いスイッチングとオン損失を備えています。低リンギング特性とPFC級、PWM級の汎用性を備え、迅速な設計導入を可能にしたMOSFETです。IPT65R025CM8は高度なチップ接続…連絡先電話:86-755-83294757
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