商品名称:IPB013N06NF2S
データマニュアル:IPB013N06NF2S.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-263-3
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:1000 件
IPB013N06NF2S StrongIRFET™2パワーMOSFET 60Vは、1.3 mOhmの最低RDS (ON)を備え、D²PAKパッケージを採用し、低スイッチング周波数から高スイッチング周波数まで幅広い用途に対応しています。
スペックです
FETタイプ:Nチャネルです
技術:MOSFET(金属酸化物)です
ドレインソース電圧(Vdss): 60 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 40A (Ta), 198A (Tc)
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 6V、10Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):1.3ミリオ@ 100A, 10Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):3.3V @ 246µAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):305 nC @ 10 Vです。
Vgs(最大値):±20Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):13800 pF @ 30 Vです。
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):3.8W (Ta), 300W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
サプライヤーデバイスパッケージ:pg-to263-3です。
パッケージ/ケース:to-263-3, D²Pak(2リード+パッチ),to-263abです。
基本品番:IPB013です。
モデル
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パッヶージ
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SAK-TC1791F-512F240EP AB
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