商品名称:IPB015N06NF2S
データマニュアル:IPB015N06NF2S.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-263-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IPB015N06NF2S StrongIRFET™ 2パワーMOSFETは、Nチャネル、ノーマルレベル、100%アバランシェ試験済みのMOSFETです。Infineon StrongIRFET 2 MOSFETは、さまざまなアプリケーションでの使用に最適化されています。 これらのMOSFETのVDS範囲は80V~100V、RDS(on)範囲は2.4mΩ~8.2mΩです。
製品属性
メーカー:インフィニオン
製品カテゴリー: MOSFET
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース:TO-263-3
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 60 V
Id-連続ドレイン電流:195 A
Rds-ドレインオン抵抗:1.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい値電圧:2.1 V
Qg - ゲート電荷量: 155 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175 C
Pd-消費電力:250 W
チャネルモード:エンハンスメント
商標: StrongIRFET
シリーズ: StrongIRFET 2
構成: Single
フォールオフ時間: 27 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 125 S
立ち上がり時間: 34 ns
標準ターンオフ遅延時間:65 ns
典型的なターンオン遅延時間:27 ns
モデル
ブランド
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説明
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