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IDWD120E120D7

製品の説明:ソフトスイッチ1200 V、エミッタ制御7シリコンダイオードto-247-2です。

パッヶージ:TO-247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FP50R12N2T7B76

製品の説明:IGBTモジュール溝型フィールドオフ三相相器1200 V 50 Aスタンド装着ag-econo2b

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFWS3D0P04M8LT1G
ON

製品の説明:パワーMOSFET、シングルPチャネル、-40 V、2.7 mΩ、-183 A

パッヶージ:5-DFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFWS2D3P04M8LT1G
ON

製品の説明:デュアルNチャンネル、パワーMOSFET、60V、49A、11.9mΩ

パッヶージ:5-DFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
EFC4K110NUZTDG
ON

製品の説明:デュアルNチャンネルパワーMOSFET 24V、25A、2.95mΩ

パッヶージ:10-WLCSP
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFD5C672NLT1G
ON

製品の説明:デュアルNチャンネル、パワーMOSFET、60V、49A、11.9mΩ

パッヶージ:8-DFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS6H801NLT1G
ON

製品の説明:MOSFET - パワー、シングルNチャンネル 80V、2.7mΩ

パッヶージ:8-PowerTDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R140M1HXTMA1

製品の説明:TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R060M1HXTMA1

製品の説明:TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R350M1HXTMA1

製品の説明:TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R030M1HXTMA1

製品の説明:TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R030M1HXKSA1

製品の説明:TO247-3パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R020M1HXKSA1

製品の説明:TO247-3パッケージのCoolSiC™ 1200V、20mΩ SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R030M1HXKSA1

製品の説明:TO247-4パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R007M1HXKSA1

製品の説明:TO247-4パッケージのCoolSiC™ 1200V、7mΩ SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R020M1HXKSA1

製品の説明:TO247-4パッケージのCoolSiC™ 1200V、20mΩ SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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